Numéro de produit du fabricant:
RQ6E055BNTCR
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
RQ6E055BNTCR-DG
Description:
MOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT6
Description détaillée:
N-Channel 30 V 5.5A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
Inventaire:
2970 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13527431
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SOUMETTRE
RQ6E055BNTCR Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
5.5A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
25mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
8.6 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
355 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.25W (Ta)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TSMT6 (SC-95)
Emballage / Caisse
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Numéro de produit de base
RQ6E055
Fiche technique & Documents
Ressources de conception
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
RQ6E055BNTCRCT
RQ6E055BNTCRTR
RQ6E055BNTCRDKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
FDC855N
FABRICANT
Fairchild Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
10062
NUMÉRO DE PIÈCE
FDC855N-DG
PRIX UNITAIRE
0.22
TYPE DE SUBSTITUT
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