Numéro de produit du fabricant:
SCT2280KEC
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SCT2280KEC-DG
Description:
SICFET N-CH 1200V 14A TO247
Description détaillée:
N-Channel 1200 V 14A (Tc) 108W (Tc) Through Hole TO-247
Inventaire:
13527304
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SOUMETTRE
SCT2280KEC Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
1200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
14A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
18V
rds activé (max) @ id, vgs
364mOhm @ 4A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1.4mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 18 V
Vgs (max.)
+22V, -6V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
667 pF @ 800 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
108W (Tc)
Température de fonctionnement
175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247
Emballage / Caisse
TO-247-3
Numéro de produit de base
SCT2280
Fiche technique & Documents
Documents de fiabilité
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
360
Autres noms
SCT2280KECU
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTX24N100
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTX24N100-DG
PRIX UNITAIRE
19.20
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QUANTITÉ DISPONIBLE
0
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PRIX UNITAIRE
14.66
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0
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PRIX UNITAIRE
8.17
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QUANTITÉ DISPONIBLE
2220
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PRIX UNITAIRE
8.15
TYPE DE SUBSTITUT
Direct
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFR32N100Q3
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
30
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFR32N100Q3-DG
PRIX UNITAIRE
31.33
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