Accueil
Produits
Fabricants
À propos de DiGi
Contactez-nous
Blogs et Articles
Demande de devis
France
Se connecter
Langue sélective
Langue actuelle de votre choix :
France
Interrupteur:
Anglais
Europe
Royaume-Uni
RD Congo
Argentine
Turquie
Roumanie
Lituanie
Norvège
Autriche
Angola
Slovaquie
ltaly
Finlande
Biélorussie
Bulgarie
Danemark
Estonie
Pologne
Ukraine
Slovénie
Tchèque
Grec
Croatie (Hrvatska)
Israël
Monténégro
Russe
Belgique
Suède
Serbie
Basque
Islande
Bosnie
Hongrois
Moldavie
Allemagne
Pays-Bas
Irlande
Asie / Pacifique
Chine
Viêt Nam
Indonésie
Thaïlande
Laos
Filipino
Malaisie
Corée
Japon
Hong Kong
Taiwan
Singapour
Pakistan
Arabie Saoudite
Qatar
Koweït
Cambodge
Myanmar
Afrique, Inde et Moyen-Orient
Émirats arabes unis
Tadjikistan
Madagascar
Inde
Iran
France
Afrique du Sud
Égypte
Kenya
Tanzanie
Ghana
Sénégal
Maroc
Tunisie
Amérique du Sud / Océanie
Nouvelle-Zélande
Portugal
Brésil
Mozambique
Pérou
Colombie
Chili
Venezuela
Équateur
Bolivie
Uruguay
Espagne
Paraguay
Australie
Amérique du Nord
États-Unis
Haïti
Canada
Costa Rica
Mexique
À propos de DiGi
À propos de nous
À propos de nous
Nos Certifications
DiGi Introduction
Pourquoi DiGi
Politique
Politique de qualité
Conditions d'utilisation
Conformité RoHS
Processus de Retour
Ressources
Catégories de produits
Fabricants
Blogs et Articles
Services
Garantie de qualité
Mode de paiement
Expédition mondiale
Tarifs d'expédition
FAQ
Numéro de produit du fabricant:
RD3H160SPTL1
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
RD3H160SPTL1-DG
Description:
MOSFET P-CH 45V 16A TO252
Description détaillée:
P-Channel 45 V 16A (Ta) 20W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventaire:
5558 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13525567
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
*
Société
*
Nom du contact
*
Téléphone
*
E-mail
Adresse de livraison
Message
(
*
) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
RD3H160SPTL1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
45 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
16A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
50mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2000 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
20W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
RD3H160
Fiche technique & Documents
Ressources de conception
TO252 Inner Structure
Documents de fiabilité
TO252 MOS Reliability Test
Fiches techniques
RD3H160SPTL1
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
RD3H160SPTL1TR
RD3H160SPTL1CT
RD3H160SPTL1DKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
RSS070P05FU6TB
MOSFET P-CH 45V 7A 8SOP
RD3P175SNFRATL
MOSFET N-CH 100V 17.5A TO252
RS1E240BNTB
MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP
RUU002N05T106
MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3