Numéro de produit du fabricant:
R8002KNXC7G
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
R8002KNXC7G-DG
Description:
800V 1.6A, TO-220FM, HIGH-SPEED
Description détaillée:
N-Channel 800 V 1.6A (Ta) 28W (Tc) Through Hole TO-220FM
Inventaire:
948 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12996693
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SOUMETTRE
R8002KNXC7G Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
800 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
1.6A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
4.2Ohm @ 800mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 150µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
7.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
140 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
28W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220FM
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack
Numéro de produit de base
R8002
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
846-R8002KNXC7GCT
846-R8002KNXC7GDKR
846-R8002KNXC7GDKR-DG
846-R8002KNXC7G
846-R8002KNXC7GCT-DG
846-R8002KNXC7GTR-DG
846-R8002KNXC7GTR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
SISS5110DN-T1-GE3
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
PSMN070-200P,127
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1200V, 10A, THD, SILICON-CARBIDE
