Numéro de produit du fabricant:
SCT2450KEGC11
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SCT2450KEGC11-DG
Description:
1200V, 10A, THD, SILICON-CARBIDE
Description détaillée:
N-Channel 1200 V 10A (Tc) 85W (Tc) Through Hole TO-247N
Inventaire:
141 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12996728
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SOUMETTRE
SCT2450KEGC11 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
1200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
10A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
18V
rds activé (max) @ id, vgs
585mOhm @ 3A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 900µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 18 V
Vgs (max.)
+22V, -6V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
463 pF @ 800 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
85W (Tc)
Température de fonctionnement
175°C
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247N
Emballage / Caisse
TO-247-3
Numéro de produit de base
SCT2450
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
450
Autres noms
846-SCT2450KEGC11
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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