Numéro de produit du fabricant:
R8002CND3FRATL
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
R8002CND3FRATL-DG
Description:
MOSFET N-CH 800V 2A TO252
Description détaillée:
N-Channel 800 V 2A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventaire:
7551 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12945911
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
R8002CND3FRATL Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
800 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
4.3Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
12.1 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
240 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
69W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
R8002
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
846-R8002CND3FRATLCT
846-R8002CND3FRATLDKR
846-R8002CND3FRATLTR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
RRR030P03HZGTL
MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3
IMBG120R060M1HXTMA1
SICFET N-CH 1.2KV 36A TO263
IAUC120N06S5L032ATMA1
MOSFET N-CH 60V 120A TDSON-8-34