Numéro de produit du fabricant:
IMBG120R030M1HXTMA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IMBG120R030M1HXTMA1-DG
Description:
SICFET N-CH 1.2KV 56A TO263
Description détaillée:
N-Channel 1200 V 56A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-12
Inventaire:
967 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12945928
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SOUMETTRE
IMBG120R030M1HXTMA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
CoolSiC™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
1200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
56A (Tc)
rds activé (max) @ id, vgs
41mOhm @ 25A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.7V @ 11.5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 18 V
Vgs (max.)
+18V, -15V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2290 pF @ 800 V
Fonctionnalité FET
Standard
Dissipation de puissance (max.)
300W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO263-7-12
Emballage / Caisse
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Numéro de produit de base
IMBG120
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
448-IMBG120R030M1HXTMA1DKR
448-IMBG120R030M1HXTMA1CT
448-IMBG120R030M1HXTMA1TR
SP004463784
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
G3R30MT12J
FABRICANT
GeneSiC Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
68
NUMÉRO DE PIÈCE
G3R30MT12J-DG
PRIX UNITAIRE
20.78
TYPE DE SUBSTITUT
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