Numéro de produit du fabricant:
R8002ANX
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
R8002ANX-DG
Description:
MOSFET N-CH 800V 2A TO220FM
Description détaillée:
N-Channel 800 V 2A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220FM
Inventaire:
13526510
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SOUMETTRE
R8002ANX Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
-
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
800 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
4.3Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
12.7 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
210 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
35W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220FM
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack
Numéro de produit de base
R8002
Fiche technique & Documents
Documents de fiabilité
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
500
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
FCPF4300N80Z
FABRICANT
Fairchild Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
931
NUMÉRO DE PIÈCE
FCPF4300N80Z-DG
PRIX UNITAIRE
1.08
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PRIX UNITAIRE
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