Numéro de produit du fabricant:
R6576ENZ4C13
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
R6576ENZ4C13-DG
Description:
650V 76A TO-247, LOW-NOISE POWER
Description détaillée:
N-Channel 650 V 76A (Ta) 735W (Tc) Through Hole TO-247
Inventaire:
562 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12974850
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SOUMETTRE
R6576ENZ4C13 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
76A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
46mOhm @ 44.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 2.96mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
260 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
6500 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
735W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247
Emballage / Caisse
TO-247-3
Numéro de produit de base
R6576
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Autres noms
846-R6576ENZ4C13
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
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30V N-CHANNEL MOSFET
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