Numéro de produit du fabricant:
CSD16321Q5T
Product Overview
Fabricant:
Texas Instruments
DiGi Electronics Numéro de pièce:
CSD16321Q5T-DG
Description:
25-V, N CHANNEL NEXFET POWER MOS
Description détaillée:
N-Channel 25 V 29A (Ta), 100A (Tc) 3.1W (Ta), 113W (Tc) Surface Mount 8-VSON-CLIP (5x6)
Inventaire:
530 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12974893
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SOUMETTRE
CSD16321Q5T Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Texas Instruments
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
NexFET™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
25 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
29A (Ta), 100A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
3V, 8V
rds activé (max) @ id, vgs
2.4mOhm @ 25A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
19 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
+10V, -8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
3100 pF @ 12.5 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.1W (Ta), 113W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-VSON-CLIP (5x6)
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN
Numéro de produit de base
CSD16321
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
250
Autres noms
296-CSD16321Q5TCT
296-CSD16321Q5TDKR
296-CSD16321Q5TTR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
Not applicable
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
DI035P04PT-AQ
MOSFET, POWERQFN 3X3, -40V, -35A
IPL65R095CFD7AUMA1
COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE
BUK9Y12-55B/C3X
MOSFET N-CH 55V LFPAK56
