Numéro de produit du fabricant:
R6076ENZ1C9
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
R6076ENZ1C9-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 76A TO247
Description détaillée:
N-Channel 600 V 76A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-247
Inventaire:
13524437
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SOUMETTRE
R6076ENZ1C9 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
76A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
42mOhm @ 44.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
260 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
6500 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
120W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247
Emballage / Caisse
TO-247-3
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
450
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
SIHG73N60AE-GE3
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
SIHG73N60AE-GE3-DG
PRIX UNITAIRE
5.23
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QUANTITÉ DISPONIBLE
447
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PRIX UNITAIRE
6.38
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467
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PRIX UNITAIRE
12.36
TYPE DE SUBSTITUT
Direct
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTQ18N60P
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTQ18N60P-DG
PRIX UNITAIRE
3.69
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