Numéro de produit du fabricant:
QS5U12TR
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
QS5U12TR-DG
Description:
MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
Description détaillée:
N-Channel 30 V 2A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount TSMT5
Inventaire:
2608 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13524438
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SOUMETTRE
QS5U12TR Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
100mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
3.9 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±12V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
175 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
Schottky Diode (Isolated)
Dissipation de puissance (max.)
1.25W (Ta)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TSMT5
Emballage / Caisse
SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Numéro de produit de base
QS5U12
Fiche technique & Documents
Ressources de conception
Documents de fiabilité
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
QS5U12DKR
QS5U12CT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
QS5U13TR
FABRICANT
Rohm Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
2999
NUMÉRO DE PIÈCE
QS5U13TR-DG
PRIX UNITAIRE
0.18
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
Produits Connexes
RF4E110GNTR
MOSFET N-CH 30V 11A HUML2020L8
RD3L140SPTL1
MOSFET P-CH 60V 14A TO252
R6020KNZC8
MOSFET N-CHANNEL 600V 20A TO3PF
