Numéro de produit du fabricant:
R6009JND3TL1
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
R6009JND3TL1-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 9A TO252
Description détaillée:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventaire:
2490 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13524213
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SOUMETTRE
R6009JND3TL1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
9A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
15V
rds activé (max) @ id, vgs
585mOhm @ 4.5A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
7V @ 1.38mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 15 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
645 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
125W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
R6009
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
R6009JND3TL1TR
R6009JND3TL1DKR
R6009JND3TL1CT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
TK10P60W,RVQ
FABRICANT
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÉ DISPONIBLE
5042
NUMÉRO DE PIÈCE
TK10P60W,RVQ-DG
PRIX UNITAIRE
1.18
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PRIX UNITAIRE
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