Numéro de produit du fabricant:
RF4E060AJTCR
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
RF4E060AJTCR-DG
Description:
MOSFET N-CH 30V 6A HUML2020L8
Description détaillée:
N-Channel 30 V 6A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount HUML2020L8
Inventaire:
2309 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13524226
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SOUMETTRE
RF4E060AJTCR Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
6A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
37mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
4 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±12V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
450 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2W (Ta)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
HUML2020L8
Emballage / Caisse
8-PowerUDFN
Numéro de produit de base
RF4E060
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
RF4E060AJTCRDKR
RF4E060AJTCRTR
RF4E060AJTCRCT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
PMPB29XNE,115
FABRICANT
NXP USA Inc.
QUANTITÉ DISPONIBLE
19000
NUMÉRO DE PIÈCE
PMPB29XNE,115-DG
PRIX UNITAIRE
0.09
TYPE DE SUBSTITUT
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