Numéro de produit du fabricant:
R6007KNX
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
R6007KNX-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM
Description détaillée:
N-Channel 600 V 7A (Tc) 46W (Tc) Through Hole TO-220FM
Inventaire:
12818180
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SOUMETTRE
R6007KNX Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Bulk
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
7A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
620mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
14.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
470 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
46W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220FM
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack
Numéro de produit de base
R6007
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
500
Autres noms
R6007KNXDKRINACTIVE
R6007KNXCTINACTIVE
846-R6007KNX
R6007KNXDKR-DG
R6007KNXCT
R6007KNXDKR
R6007KNXCT-DG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
TK8A65D(STA4,Q,M)
FABRICANT
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÉ DISPONIBLE
53
NUMÉRO DE PIÈCE
TK8A65D(STA4,Q,M)-DG
PRIX UNITAIRE
0.92
TYPE DE SUBSTITUT
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NUMÉRO DE PIÈCE
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FABRICANT
Rohm Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
R6007KNX-DG
PRIX UNITAIRE
1.02
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTP4N70X2M
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
24
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTP4N70X2M-DG
PRIX UNITAIRE
1.35
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