Numéro de produit du fabricant:
STP80N600K6
Product Overview
Fabricant:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Numéro de pièce:
STP80N600K6-DG
Description:
N-CHANNEL 800 V, 515 MOHM TYP.,
Description détaillée:
N-Channel 800 V 7A (Tc) 86W (Tc) Through Hole TO-220
Inventaire:
44 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13000717
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SOUMETTRE
STP80N600K6 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
800 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
7A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
600mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
10.7 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
540 pF @ 400 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
86W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
STP80
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
497-STP80N600K6
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
STWA65N023M9
N-CHANNEL 650 V, 19.9 MOHM TYP.,
DMT3006LFDFQ-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
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MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506