Numéro de produit du fabricant:
DTD113ECT116
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
DTD113ECT116-DG
Description:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Description détaillée:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 500 mA 200 MHz 200 mW Surface Mount SST3
Inventaire:
3 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13523866
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SOUMETTRE
DTD113ECT116 Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires pré-biaisés simples
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
500 mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50 V
Résistance - Base (R1)
1 kOhms
Résistance - Base de l’émetteur (R2)
1 kOhms
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
33 @ 50mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 2.5mA, 50mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
500nA
Fréquence - Transition
200 MHz
Puissance - Max
200 mW
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Ensemble d’appareils du fournisseur
SST3
Numéro de produit de base
DTD113
Fiche technique & Documents
Ressources de conception
Documents de fiabilité
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
DTD113ECT116CT
DTD113ECT116DKR
DTD113ECMGT116
DTD113ECT116TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
PDTD113ET,215
FABRICANT
Nexperia USA Inc.
QUANTITÉ DISPONIBLE
3002
NUMÉRO DE PIÈCE
PDTD113ET,215-DG
PRIX UNITAIRE
0.03
TYPE DE SUBSTITUT
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