Numéro de produit du fabricant:
PDTD113ET,215
Product Overview
Fabricant:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Numéro de pièce:
PDTD113ET,215-DG
Description:
TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
Description détaillée:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 500 mA 250 mW Surface Mount TO-236AB
Inventaire:
3002 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12827487
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SOUMETTRE
PDTD113ET,215 Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires pré-biaisés simples
Fabricant
Nexperia
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
500 mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50 V
Résistance - Base (R1)
1 kOhms
Résistance - Base de l’émetteur (R2)
1 kOhms
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
33 @ 50mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 2.5mA, 50mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
500nA
Puissance - Max
250 mW
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-236AB
Numéro de produit de base
PDTD113
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
1727-2150-2
568-11969-6
1727-2150-1
568-12311-2-DG
934058975215
1727-2150-6
568-11969-6-DG
PDTD113ET,215-DG
568-11969-1
5202-PDTD113ET,215TR
568-12311-1-DG
PDTD113ET T/R-DG
568-12311-6
568-12311-2
568-12311-1
2156-PDTD113ET,215
568-11949-2-DG
568-12311-6-DG
568-11969-1-DG
PDTD113ET T/R
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
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