Numéro de produit du fabricant:
BSS84XHZGG2CR
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
BSS84XHZGG2CR-DG
Description:
MOSFET P-CH 60V 230MA DFN1010-3W
Description détaillée:
P-Channel 60 V 230mA (Ta) 1W (Ta) Surface Mount DFN1010-3W
Inventaire:
4070 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12948441
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SOUMETTRE
BSS84XHZGG2CR Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
230mA (Ta)
rds activé (max) @ id, vgs
5.3Ohm @ 230mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 100µA
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
34 pF @ 30 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1W (Ta)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
DFN1010-3W
Emballage / Caisse
3-XFDFN
Numéro de produit de base
BSS84
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
8,000
Autres noms
846-BSS84XHZGG2CRTR
846-BSS84XHZGG2CRCT
846-BSS84XHZGG2CRDKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
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