Numéro de produit du fabricant:
RV8C010UNHZGG2CR
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
RV8C010UNHZGG2CR-DG
Description:
MOSFET N-CH 20V 1A DFN1010-3W
Description détaillée:
N-Channel 20 V 1A (Ta) 1W Surface Mount DFN1010-3W
Inventaire:
5842 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12948488
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SOUMETTRE
RV8C010UNHZGG2CR Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
1A (Ta)
rds activé (max) @ id, vgs
470mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Vgs (max.)
±8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
40 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1W
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
DFN1010-3W
Emballage / Caisse
3-XFDFN
Numéro de produit de base
RV8C010
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
8,000
Autres noms
846-RV8C010UNHZGG2CRCT
846-RV8C010UNHZGG2CRDKR
846-RV8C010UNHZGG2CRTR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
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