Numéro de produit du fabricant:
NP35N04YUG-E1-AY
Product Overview
Fabricant:
Renesas Electronics Corporation
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NP35N04YUG-E1-AY-DG
Description:
MOSFET N-CH 40V 35A 8HSON
Description détaillée:
N-Channel 40 V 35A (Tc) 1W (Ta), 77W (Tc) Surface Mount 8-HSON
Inventaire:
5000 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12861388
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SOUMETTRE
NP35N04YUG-E1-AY Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Renesas Electronics Corporation
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
40 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
35A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
10mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
54 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2850 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1W (Ta), 77W (Tc)
Température de fonctionnement
175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-HSON
Emballage / Caisse
8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Numéro de produit de base
NP35N04
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
NP35N04YUG-E1-AYTR
NP35N04YUGE1AY
NP35N04YUG-E1-AY-DG
-1161-NP35N04YUG-E1-AYCT
NP35N04YUG-E1-AYDKR
NP35N04YUG-E1-AYCT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
2SK1341-E
MOSFET N-CH 900V 6A TO3P
UPA2754GR(0)-E1-AY
TRANSISTOR
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