Numéro de produit du fabricant:

IRF7464

Product Overview

Fabricant:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Numéro de pièce:

IRF7464-DG

Description:

MOSFET N-CH 200V 1.2A 8SO

Description détaillée:

N-Channel 200 V 1.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO

Inventaire:

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12861440

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SOUMETTRE

IRF7464 Spécifications techniques

Catégorie

FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs

Fabricant

Infineon Technologies

Emballage

-

Série

HEXFET®

État du produit

Obsolete

FET Type

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange à la source (Vdss)

200 V

Courant - drain continu (id) @ 25°C

1.2A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

rds activé (max) @ id, vgs

730mOhm @ 720mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

14 nC @ 10 V

Vgs (max.)

±30V

Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds

280 pF @ 25 V

Fonctionnalité FET

-

Dissipation de puissance (max.)

2.5W (Ta)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Ensemble d’appareils du fournisseur

8-SO

Emballage / Caisse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard

95

Autres noms

*IRF7464

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS

RoHS non-compliant

Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)

1 (Unlimited)

Statut REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certification DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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