Numéro de produit du fabricant:
2SK3357-A
Product Overview
Fabricant:
Renesas
DiGi Electronics Numéro de pièce:
2SK3357-A-DG
Description:
2SK3357 - N-CHANNEL POWER MOSFET
Description détaillée:
N-Channel 60 V 75A (Ta) 3W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-3P (MP-88)
Inventaire:
294 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12978542
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SOUMETTRE
2SK3357-A Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Renesas Electronics Corporation
Emballage
Bulk
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
75A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
5.8mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
170 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
9800 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3W (Ta), 150W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-3P (MP-88)
Emballage / Caisse
TO-3P-3, SC-65-3
Informations supplémentaires
Forfait standard
75
Autres noms
2156-2SK3357-A
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS non-compliant
Statut REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Certification DIGI
Produits Connexes
DMP3045LFVWQ-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
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