Numéro de produit du fabricant:
DMN21D2UFB-7
Product Overview
Fabricant:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Numéro de pièce:
DMN21D2UFB-7-DG
Description:
MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-
Description détaillée:
N-Channel 20 V 760mA (Ta) 380mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1006-3
Inventaire:
12978564
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SOUMETTRE
DMN21D2UFB-7 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
760mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
990mOhm @ 100mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
0.93 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±12V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
27.6 pF @ 16 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
380mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
X1-DFN1006-3
Emballage / Caisse
3-UFDFN
Numéro de produit de base
DMN21
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
31-DMN21D2UFB-7TR
31-DMN21D2UFB-7DKR
31-DMN21D2UFB-7CT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
DMN21D2UFB-7B
FABRICANT
Diodes Incorporated
QUANTITÉ DISPONIBLE
54090
NUMÉRO DE PIÈCE
DMN21D2UFB-7B-DG
PRIX UNITAIRE
0.05
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
Produits Connexes
DMTH4014SPSW-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
DMTH4M70SPGWQ-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI808
DMN2710UWQ-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
