2SC2619FCTL-E
Numéro de produit du fabricant:

2SC2619FCTL-E

Product Overview

Fabricant:

Renesas Electronics Corporation

DiGi Electronics Numéro de pièce:

2SC2619FCTL-E-DG

Description:

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
Description détaillée:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 100 mA 230MHz 150 mW Surface Mount 3-MPAK

Inventaire:

27000 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12946063
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

2SC2619FCTL-E Spécifications techniques

Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires simples
Fabricant
Renesas Electronics Corporation
Emballage
Bulk
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
NPN
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
100 mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
30 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.1V @ 1mA, 10mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
500nA (ICBO)
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
60 @ 2mA, 12V
Puissance - Max
150 mW
Fréquence - Transition
230MHz
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Ensemble d’appareils du fournisseur
3-MPAK

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
1,803
Autres noms
RENRNS2SC2619FCTL-E
2156-2SC2619FCTL-E

Classification environnementale et d'exportation

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certification DIGI
Produits Connexes
nxp-semiconductors

BC869-16115

NOW NEXPERIA BC869-16 - SMALL SI

sanyo

CPH3109-TL-E

PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRA

fairchild-semiconductor

2SC3651-TD-E

2SC3651 - NPN EPITAXIAL PLANAR S

sanyo

2SD1803S-E

NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRA