Numéro de produit du fabricant:
2SD1803S-E
Product Overview
Fabricant:
Sanyo
DiGi Electronics Numéro de pièce:
2SD1803S-E-DG
Description:
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRA
Description détaillée:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 5 A 180MHz 1 W Through Hole IPAK/TP
Inventaire:
3000 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12946092
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SOUMETTRE
2SD1803S-E Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires simples
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
NPN
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
5 A
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 150mA, 3A
Courant - Coupure du collecteur (max.)
1µA (ICBO)
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
140 @ 500mA, 2V
Puissance - Max
1 W
Fréquence - Transition
180MHz
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Emballage / Caisse
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Ensemble d’appareils du fournisseur
IPAK/TP
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
461
Autres noms
2156-2SD1803S-E
ONSONS2SD1803S-E
Classification environnementale et d'exportation
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Certification DIGI
Produits Connexes
2SD1802T-E
TRANS NPN 50V 5A TP
BC556BTA
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
2SD1005-T1-AY
2SD1005 - SIGNAL DEVICE
