QJD1210010
Numéro de produit du fabricant:

QJD1210010

Product Overview

Fabricant:

Powerex Inc.

DiGi Electronics Numéro de pièce:

QJD1210010-DG

Description:

SIC 2N-CH 1200V 100A MODULE
Description détaillée:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 100A (Tc) 1080W Chassis Mount Module

Inventaire:

12842237
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SOUMETTRE

QJD1210010 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
Powerex
Emballage
-
Série
-
État du produit
Discontinued at Digi-Key
Technologie
Silicon Carbide (SiC)
Configuration
2 N-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET
-
Tension de vidange à la source (Vdss)
1200V (1.2kV)
Courant - drain continu (id) @ 25°C
100A (Tc)
rds activé (max) @ id, vgs
25mOhm @ 100A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 10mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
500nC @ 20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
10200pF @ 800V
Puissance - Max
1080W
Température de fonctionnement
-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Chassis Mount
Emballage / Caisse
Module
Ensemble d’appareils du fournisseur
Module
Numéro de produit de base
QJD1210

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
1

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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