Numéro de produit du fabricant:
NTMFD5C650NLT1G
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NTMFD5C650NLT1G-DG
Description:
MOSFET 2N-CH 60V 21A/111A 8DFN
Description détaillée:
Mosfet Array 60V 21A (Ta), 111A (Tc) 3.5W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Inventaire:
12842321
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SOUMETTRE
NTMFD5C650NLT1G Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 N-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET
-
Tension de vidange à la source (Vdss)
60V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
21A (Ta), 111A (Tc)
rds activé (max) @ id, vgs
4.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 98µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
37nC @ 10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2546pF @ 25V
Puissance - Max
3.5W (Ta), 125W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Numéro de produit de base
NTMFD5
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,500
Autres noms
488-NTMFD5C650NLT1GTR
488-NTMFD5C650NLT1GDKR
488-NTMFD5C650NLT1GCT
NTMFD5C650NLT1G-DG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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