Numéro de produit du fabricant:
PJMF130N65EC_T0_00001
Product Overview
Fabricant:
Panjit International Inc.
DiGi Electronics Numéro de pièce:
PJMF130N65EC_T0_00001-DG
Description:
650V SUPER JUNCITON MOSFET
Description détaillée:
N-Channel 650 V 29A (Tc) 33W (Tc) Through Hole ITO-220AB-F
Inventaire:
2023 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12997571
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SOUMETTRE
PJMF130N65EC_T0_00001 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
PANJIT
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
29A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
130mOhm @ 10.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1920 pF @ 400 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
33W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
ITO-220AB-F
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Numéro de produit de base
PJMF130
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,000
Autres noms
3757-PJMF130N65EC_T0_00001
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
FDS9435A-NBAD008
-30V P-CHANNEL POWERTRENCH MOSFE
BSS123-F169
MOSFET N-CH SOT23
GT52N10D5
N100V,RD(MAX)<7.5M@10V,RD(MAX)<1
