Numéro de produit du fabricant:
GT100N12K
Product Overview
Fabricant:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
GT100N12K-DG
Description:
N120V,65A,RD<12M@10V,VTH2.5V~3.5
Description détaillée:
N-Channel 120 V 65A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventaire:
2500 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12997601
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SOUMETTRE
GT100N12K Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Goford Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
120 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
65A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
12mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2911 pF @ 60 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
75W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
3141-GT100N12KTR
3141-GT100N12KCT
3141-GT100N12KDKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
Certification DIGI
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N60V,170A,RD<2.5M@10V,VTH1.2V~2.
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