Numéro de produit du fabricant:
PJMD990N65EC_L2_00001
Product Overview
Fabricant:
Panjit International Inc.
DiGi Electronics Numéro de pièce:
PJMD990N65EC_L2_00001-DG
Description:
650V SUPER JUNCITON MOSFET
Description détaillée:
N-Channel 650 V 4.7A (Tc) 47.5W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventaire:
6000 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12974611
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
PJMD990N65EC_L2_00001 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
PANJIT
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4.7A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
990mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
9.7 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
306 pF @ 400 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
47.5W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252AA
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
PJMD990
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
6,000
Autres noms
3757-PJMD990N65EC_L2_00001CT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
PJQ4465AP_R2_00001
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
IV1Q12160T4
SIC MOSFET, 1200V 160MOHM, TO-24
NVMFS005N10MCLT1G
PTNG 100V LL SO8FL
