Numéro de produit du fabricant:
PJD50N10AL_L2_00001
Product Overview
Fabricant:
Panjit International Inc.
DiGi Electronics Numéro de pièce:
PJD50N10AL_L2_00001-DG
Description:
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Description détaillée:
N-Channel 100 V 6.3A (Ta), 42A (Tc) 2W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventaire:
2956 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12972935
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SOUMETTRE
PJD50N10AL_L2_00001 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
PANJIT
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
6.3A (Ta), 42A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
25mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1485 pF @ 30 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2W (Ta), 83W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
PJD50
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
3757-PJD50N10AL_L2_00001CT
3757-PJD50N10AL_L2_00001TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
PJD50N10AL-AU_L2_000A1
FABRICANT
Panjit International Inc.
QUANTITÉ DISPONIBLE
1302
NUMÉRO DE PIÈCE
PJD50N10AL-AU_L2_000A1-DG
PRIX UNITAIRE
0.34
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
Produits Connexes
PJD45P04_L2_00001
40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
IAUC41N06S5N102ATMA1
MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8
IRLL014TRPBF-BE3
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
