IAUC41N06S5N102ATMA1
Numéro de produit du fabricant:

IAUC41N06S5N102ATMA1

Product Overview

Fabricant:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Numéro de pièce:

IAUC41N06S5N102ATMA1-DG

Description:

MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8
Description détaillée:
N-Channel 60 V 47A (Tj) 42W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-33

Inventaire:

14870 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12972948
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SOUMETTRE

IAUC41N06S5N102ATMA1 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™-5
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
47A (Tj)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
7V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
10.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.4V @ 13µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
16.3 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1112.1 pF @ 30 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
42W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TDSON-8-33
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
5,000
Autres noms
448-IAUC41N06S5N102ATMA1CT
SP003244390
448-IAUC41N06S5N102ATMA1TR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
vishay-siliconix

IRLL014TRPBF-BE3

MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223

nxp-semiconductors

PSMN085-150K,518

NEXPERIA PSMN085-150K - 3.5A, 15

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2SK1447LS

2SK1447 - N-CHANNEL SILICON MOSF

panjit

PJP8NA65A_T0_00001

650V N-CHANNEL MOSFET