PJD12P06_L2_00001
Numéro de produit du fabricant:

PJD12P06_L2_00001

Product Overview

Fabricant:

Panjit International Inc.

DiGi Electronics Numéro de pièce:

PJD12P06_L2_00001-DG

Description:

60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Description détaillée:
P-Channel 60 V 2.6A (Ta), 12A (Tc) 2W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-252

Inventaire:

12972898
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SOUMETTRE

PJD12P06_L2_00001 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
PANJIT
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2.6A (Ta), 12A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
155mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
10.9 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
385 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2W (Ta), 50W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
PJD12

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
3757-PJD12P06_L2_00001TR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
rohm-semi

R6530KNZ4C13

650V 30A TO-247, HIGH-SPEED SWIT

infineon-technologies

IAUS300N04S4N007ATMA1

MOSFET_(20V 40V) PG-HSOG-8

goford-semiconductor

2301

P20V,RD(MAX)<[email protected],RD(MAX)<8

panjit

PJL9421_R2_00001

40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M