Numéro de produit du fabricant:
R6530KNZ4C13
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
R6530KNZ4C13-DG
Description:
650V 30A TO-247, HIGH-SPEED SWIT
Description détaillée:
N-Channel 650 V 30A (Tc) 305W (Tc) Through Hole TO-247G
Inventaire:
371 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12972899
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SOUMETTRE
R6530KNZ4C13 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
30A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
140mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 960µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2350 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
305W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247G
Emballage / Caisse
TO-247-3
Numéro de produit de base
R6530
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Autres noms
846-R6530KNZ4C13
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
IAUS300N04S4N007ATMA1
MOSFET_(20V 40V) PG-HSOG-8
2301
P20V,RD(MAX)<[email protected],RD(MAX)<8
PJL9421_R2_00001
40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
