Numéro de produit du fabricant:
RFD4N06LSM9A
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
RFD4N06LSM9A-DG
Description:
MOSFET N-CH 60V 4A TO252AA
Description détaillée:
N-Channel 60 V 4A (Tc) 30W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventaire:
12858200
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
RFD4N06LSM9A Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
5V
rds activé (max) @ id, vgs
600mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
8 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±10V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
30W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252AA
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
RFD4N
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
NTR4501NT1G
MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23-3
NVMFS5C430NAFT1G
MOSFET N-CH 40V 35A/185A 5DFN
NTD6415ANLT4G
MOSFET N-CH 100V 23A DPAK
