Numéro de produit du fabricant:
NTD6415ANLT4G
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NTD6415ANLT4G-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 23A DPAK
Description détaillée:
N-Channel 100 V 23A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventaire:
5123 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12858208
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SOUMETTRE
NTD6415ANLT4G Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
23A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
52mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1024 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
83W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
DPAK
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
NTD6415
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
ONSONSNTD6415ANLT4G
NTD6415ANLT4GOSCT
NTD6415ANLT4G-DG
NTD6415ANLT4GOSTR
NTD6415ANLT4GOSDKR
2156-NTD6415ANLT4G-OS
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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