NVMFS021N10MCLT1G
Numéro de produit du fabricant:

NVMFS021N10MCLT1G

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

NVMFS021N10MCLT1G-DG

Description:

PTNG 100V LL SO8FL
Description détaillée:
N-Channel 100 V 8.4A (Ta), 31A (Tc) 3.6W (Ta), 49W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Inventaire:

2268 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12979400
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SOUMETTRE

NVMFS021N10MCLT1G Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
8.4A (Ta), 31A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
23mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 42µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
850 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.6W (Ta), 49W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN, 5 Leads

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
1,500
Autres noms
488-NVMFS021N10MCLT1GTR
488-NVMFS021N10MCLT1GCT
488-NVMFS021N10MCLT1GDKR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
diodes

DMP610DLQ-7

MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R

diodes

DMP2065U-7

MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3

diodes

DMP2225LQ-7

MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3

onsemi

NTHL045N065SC1

SIC MOS TO247-3L 650V