Numéro de produit du fabricant:
NTHL045N065SC1
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NTHL045N065SC1-DG
Description:
SIC MOS TO247-3L 650V
Description détaillée:
N-Channel 650 V 66A (Tc) 291W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventaire:
386 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12979414
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SOUMETTRE
NTHL045N065SC1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
66A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 18V
rds activé (max) @ id, vgs
50mOhm @ 25A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.3V @ 8mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
105 nC @ 18 V
Vgs (max.)
+22V, -8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1870 pF @ 325 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
291W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247-3
Emballage / Caisse
TO-247-3
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
450
Autres noms
488-NTHL045N065SC1
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
MSC035SMA070B
FABRICANT
Microchip Technology
QUANTITÉ DISPONIBLE
49
NUMÉRO DE PIÈCE
MSC035SMA070B-DG
PRIX UNITAIRE
10.55
TYPE DE SUBSTITUT
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