NVH4L018N075SC1
Numéro de produit du fabricant:

NVH4L018N075SC1

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

NVH4L018N075SC1-DG

Description:

SIC MOS TO247-4L 750V
Description détaillée:
N-Channel 750 V 140A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-247-4L

Inventaire:

359 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12969757
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SOUMETTRE

NVH4L018N075SC1 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
750 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
140A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 18V
rds activé (max) @ id, vgs
18mOhm @ 66A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.3V @ 22mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
262 nC @ 18 V
Vgs (max.)
+22V, -8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
5010 pF @ 375 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
500W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247-4L
Emballage / Caisse
TO-247-4

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
30
Autres noms
488-NVH4L018N075SC1

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
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UPA2762UGR-E1-AT

N-CHANNEL POWER MOSFET

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