Numéro de produit du fabricant:
NVMYS1D6N04CLT1G
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NVMYS1D6N04CLT1G-DG
Description:
T6 40V LL AIZU SINGLE NCH LFPAK
Description détaillée:
N-Channel 40 V 35A (Ta), 185A (Tc) 3.8W (Ta), 107.1W (Tc) Surface Mount LFPAK4 (5x6)
Inventaire:
3000 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12969766
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SOUMETTRE
NVMYS1D6N04CLT1G Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
40 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
35A (Ta), 185A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.6mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 210µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
71 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4301 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.8W (Ta), 107.1W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
LFPAK4 (5x6)
Emballage / Caisse
SOT-1023, 4-LFPAK
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
488-NVMYS1D6N04CLT1GTR
2832-NVMYS1D6N04CLT1GTR
488-NVMYS1D6N04CLT1GCT
488-NVMYS1D6N04CLT1GDKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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