Numéro de produit du fabricant:
NVH4L015N065SC1
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NVH4L015N065SC1-DG
Description:
SIC MOS TO247-4L 650V
Description détaillée:
N-Channel 650 V 142A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-247-4L
Inventaire:
420 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12975159
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SOUMETTRE
NVH4L015N065SC1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tray
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
142A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 18V
rds activé (max) @ id, vgs
18mOhm @ 75A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.3V @ 25mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
283 nC @ 18 V
Vgs (max.)
+22V, -8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4790 pF @ 325 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
500W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247-4L
Emballage / Caisse
TO-247-4
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Autres noms
488-NVH4L015N065SC1
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
APT30M61SLLG/TR
MOSFET N-CH 300V 54A D3PAK
G16P03D3
P30V,RD(MAX)<12M@-10V,RD(MAX)<18
DI010N03PW
MOSFET POWERQFN 2X2 N 30V 10A 0.
