G16P03D3
Numéro de produit du fabricant:

G16P03D3

Product Overview

Fabricant:

Goford Semiconductor

DiGi Electronics Numéro de pièce:

G16P03D3-DG

Description:

P30V,RD(MAX)<12M@-10V,RD(MAX)<18
Description détaillée:
P-Channel 30 V 45A (Tc) 55W (Tc) Surface Mount 8-DFN (3.15x3.05)

Inventaire:

9558 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12975166
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SOUMETTRE

G16P03D3 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Goford Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
45A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
12mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1995 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
Standard
Dissipation de puissance (max.)
55W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-DFN (3.15x3.05)
Emballage / Caisse
8-PowerVDFN

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
5,000
Autres noms
3141-G16P03D3CT
3141-G16P03D3TR
4822-G16P03D3TR
3141-G16P03D3DKR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
diotec-semiconductor

DI010N03PW

MOSFET POWERQFN 2X2 N 30V 10A 0.

micro-commercial-components

MCU80P06Y-TP

P-CHANNEL MOSFET,DPAK

onsemi

FDN5630-B8

FET 60V 1.0 MOHM SSOT3

infineon-technologies

IPT65R099CFD7XTMA1

MOSFET N-CH 650V 8HSOF