NVF6P02T3G

Numéro de produit du fabricant:

NVF6P02T3G

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

NVF6P02T3G-DG

Description:

MOSFET P-CH 20V 10A SOT-223

Description détaillée:

P-Channel 20 V 10A (Ta) 8.3W (Ta) Surface Mount SOT-223 (TO-261)

Inventaire:

4039 Pièces Nouvelles Originales En Stock

12843377

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SOUMETTRE

NVF6P02T3G Spécifications techniques

Catégorie

FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs

Fabricant

onsemi

Emballage

Tape & Reel (TR)

Série

-

État du produit

Not For New Designs

FET Type

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange à la source (Vdss)

20 V

Courant - drain continu (id) @ 25°C

10A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

rds activé (max) @ id, vgs

50mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

20 nC @ 4.5 V

Vgs (max.)

±8V

Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds

1200 pF @ 16 V

Fonctionnalité FET

-

Dissipation de puissance (max.)

8.3W (Ta)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Grade

Automotive

Qualification

AEC-Q101

Type de montage

Surface Mount

Ensemble d’appareils du fournisseur

SOT-223 (TO-261)

Emballage / Caisse

TO-261-4, TO-261AA

Numéro de produit de base

NVF6P02

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard

4,000

Autres noms

NVF6P02T3GOSDKR

NVF6P02T3GOSCT

NVF6P02T3GOSTR

NVF6P02T3G-DG

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS

ROHS3 Compliant

Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)

1 (Unlimited)

Statut REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE

NTF6P02T3G

FABRICANT

onsemi

QUANTITÉ DISPONIBLE

45559

NUMÉRO DE PIÈCE

NTF6P02T3G-DG

PRIX UNITAIRE

0.47

TYPE DE SUBSTITUT

Parametric Equivalent

Certification DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produits Connexes

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