Numéro de produit du fabricant:
NTF6P02T3G
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NTF6P02T3G-DG
Description:
MOSFET P-CH 20V 10A SOT223
Description détaillée:
P-Channel 20 V 10A (Ta) 8.3W (Ta) Surface Mount SOT-223 (TO-261)
Inventaire:
45559 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12856813
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SOUMETTRE
NTF6P02T3G Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
10A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
50mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1200 pF @ 16 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
8.3W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-223 (TO-261)
Emballage / Caisse
TO-261-4, TO-261AA
Numéro de produit de base
NTF6P02
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
4,000
Autres noms
NTF6P02T3GOS
NTF6P02T3GOS-DG
NTF6P02T3GOSCT
NTF6P02T3GOSTR
NTF6P02T3GOSDKR
=NTF6P02T3GOSCT-DG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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