NVB260N65S3
Numéro de produit du fabricant:

NVB260N65S3

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

NVB260N65S3-DG

Description:

SF3 650V EASY 260MOHM D2PAK AUTO
Description détaillée:
N-Channel 650 V 12A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventaire:

12974547
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SOUMETTRE

NVB260N65S3 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
SuperFET® III
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
12A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
260mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 290µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1010 pF @ 400 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
90W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-263 (D2PAK)
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
800
Autres noms
488-NVB260N65S3TR
488-NVB260N65S3CT
488-NVB260N65S3DKR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
diotec-semiconductor

DI006P02PW

MOSFET POWERQFN 2X2 P -20V -6A 0

infineon-technologies

IPL65R160CFD7AUMA1

COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE

onsemi

NDS7002A-F169

MOSFET N-CH SOT23

onsemi

NVTYS010N06CLTWG

T6 60V N-CH LL IN LFPAK33