IPL65R160CFD7AUMA1
Numéro de produit du fabricant:

IPL65R160CFD7AUMA1

Product Overview

Fabricant:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Numéro de pièce:

IPL65R160CFD7AUMA1-DG

Description:

COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE
Description détaillée:
N-Channel 650 V 17A (Tc) 98W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4

Inventaire:

12974552
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SOUMETTRE

IPL65R160CFD7AUMA1 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
CoolMOS™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
17A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
160mOhm @ 6.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 320µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1283 pF @ 400 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
98W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-VSON-4
Emballage / Caisse
4-PowerTSFN

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
448-IPL65R160CFD7AUMA1DKR
448-IPL65R160CFD7AUMA1TR
SP005559258
448-IPL65R160CFD7AUMA1CT

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
2A (4 Weeks)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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