Numéro de produit du fabricant:
NTP8G206NG
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NTP8G206NG-DG
Description:
GANFET N-CH 600V 17A TO220-3
Description détaillée:
N-Channel 600 V 17A (Tc) 96W (Tc) Through Hole TO-220
Inventaire:
12842932
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SOUMETTRE
NTP8G206NG Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
17A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
8V
rds activé (max) @ id, vgs
180mOhm @ 11A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.6V @ 500µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
9.3 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±18V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
760 pF @ 480 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
96W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
NTP8G2
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
ONSONSNTP8G206NG
NTP8G206NGOS
2156-NTP8G206NG-ON
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
SIHP22N60E-GE3
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
SIHP22N60E-GE3-DG
PRIX UNITAIRE
1.67
TYPE DE SUBSTITUT
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