Numéro de produit du fabricant:
BSB012NE2LX
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
BSB012NE2LX-DG
Description:
MOSFET N-CH 25V 37A/170A 2WDSON
Description détaillée:
N-Channel 25 V 37A (Ta), 170A (Tc) 2.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
Inventaire:
12842946
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SOUMETTRE
BSB012NE2LX Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
OptiMOS™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
25 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
37A (Ta), 170A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
67 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4900 pF @ 12 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.8W (Ta), 57W (Tc)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
MG-WDSON-2, CanPAK M™
Emballage / Caisse
3-WDSON
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
5,000
Autres noms
BSB012NE2LXCT
BSB012NE2LXXUMA1
BSB012NE2LXDKR
BSB012NE2LX-DG
BSB012NE2LXXT
BSB012NE2LXTR
SP000756344
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
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