Numéro de produit du fabricant:
NTD3817N-1G
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NTD3817N-1G-DG
Description:
MOSFET N-CH 16V 7.6A/34.5A IPAK
Description détaillée:
N-Channel 16 V 7.6A (Ta), 34.5A (Tc) 1.2W (Ta), 25.9W (Tc) Through Hole IPAK
Inventaire:
12842429
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
NTD3817N-1G Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
16 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
7.6A (Ta), 34.5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
13.9mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
10.5 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±16V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
702 pF @ 12 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.2W (Ta), 25.9W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
IPAK
Emballage / Caisse
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numéro de produit de base
NTD38
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
75
Autres noms
ONSONSNTD3817N-1G
2156-NTD3817N-1G-ON
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
NTMFS4839NT1G
MOSFET N-CH 30V 9.5A/64A 5DFN
NTLUS3A90PZTBG
MOSFET P-CH 20V 2.6A 6UDFN
NVMFS5113PLWFT1G
MOSFET P-CH 60V 10A/64A 5DFN
